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Diode de barrière de Schottky

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Chine SBD304D1 Voltage inverse maximal de pic répétitif pour une diode rectificateur basse tension de 40 V

SBD304D1 Voltage inverse maximal de pic répétitif pour une diode rectificateur basse tension de 40 V

MOQ: 3000PCS/REEL
Peak forward Surge Current 50A
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage 40V
Maximum RMS Voltage 28V
Average Rectified Current at TA=75℃ 3A
Operating Junction Temperature Range -50 To +150℃
Chine SBD303D1 21V Diode de barrière Schottky 50A Courant de surtension maximale 3A Courant rectifié moyen

SBD303D1 21V Diode de barrière Schottky 50A Courant de surtension maximale 3A Courant rectifié moyen

MOQ: 3000PCS/REEL
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage 30V
Package SOD-123FL
Maximum RMS Voltage 21V
Maximum DC Blocking Voltage 30V
Peak forward Surge Current 50A
Chine SOCAY Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers SBD302D1 Voltage RMS maximal de 14 V

SOCAY Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers SBD302D1 Voltage RMS maximal de 14 V

MOQ: 3000PCS/REEL
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage 20V
Storage Temperature Range -50 To +150℃
Peak forward Surge Current 50A
Package SOD-123FL
Average Rectified Current at TA=75℃ 3A
Chine SOCAY 200V rectificateurs Schottky dans le boîtier DO-214AC SBD220D1 Diode de barrière Schottky

SOCAY 200V rectificateurs Schottky dans le boîtier DO-214AC SBD220D1 Diode de barrière Schottky

MOQ: 3000PCS/REEL
Courant rectifié moyen 2A
Voltage RMS maximal 140V
Plage de température de fonctionnement des jonctions et de température de stockage -55 à +125℃
Tension de blocage maximum de C.C Pour les appareils électriques
Voltage avant maximal à IF=1A 0.95V
Chine SBD215D1 Voltage RMS maximal de 105 V de courant de surtension avant élevé

SBD215D1 Voltage RMS maximal de 105 V de courant de surtension avant élevé

MOQ: 3000PCS/REEL
Plage de température de fonctionnement des jonctions et de température de stockage -55 à +125℃
Tension inverse maximale répétitive maximum Pour les appareils électriques
Courant rectifié moyen 2A
Voltage avant maximal à IF=1A 0.95V
Tension de blocage maximum de C.C Pour les appareils électriques
Chine 100V maximum de tension inverse de pointe répétitive Diode de barrière Schottky SBD210D1 pour votre application

100V maximum de tension inverse de pointe répétitive Diode de barrière Schottky SBD210D1 pour votre application

MOQ: 3000PCS/REEL
Voltage avant maximal à IF=1A 0.85V
Plage de température de fonctionnement des jonctions et de température de stockage -55 à +125℃
Tension inverse maximale répétitive maximum 100 V
Voltage RMS maximal 70V
Courant rectifié moyen 2A
Chine SBD120D1 Diode de barrière de Schottky 200V Pique maximal répétitif à tension inverse Diode de composant électronique

SBD120D1 Diode de barrière de Schottky 200V Pique maximal répétitif à tension inverse Diode de composant électronique

MOQ: 3000PCS/REEL
Voltage avant maximal à IF=1A 0.85V
Plage de température de fonctionnement des jonctions et de température de stockage -55 à +150℃
Tension inverse maximale répétitive maximum Pour les appareils électriques
Courant de fuite inverse au VRRM 30 μA
Capacité de jonction typique à VR=0V 85pF
Chine Réducteurs de courant à faible fuite inverse de la barrière Schottky SBD206D1 pour les applications

Réducteurs de courant à faible fuite inverse de la barrière Schottky SBD206D1 pour les applications

MOQ: 3000PCS/REEL
Voltage RMS maximal 42 V
Voltage avant maximal à IF=1A 0.7V
Tension inverse maximale répétitive maximum 60 V
Courant rectifié moyen 1A
Tension de blocage maximum de C.C 60 V
Chine SBD204D1 Diode de barrière Schottky pour appareils médicaux Voltage inverse maximal de pointe répétitif 40V

SBD204D1 Diode de barrière Schottky pour appareils médicaux Voltage inverse maximal de pointe répétitif 40V

MOQ: 3000PCS/REEL
Tension inverse maximale répétitive maximum 40 V
Tension de blocage maximum de C.C 40 V
Voltage RMS maximal 28 V
Courant rectifié moyen 2A
Plage de température de fonctionnement des jonctions et de température de stockage -55 à +125℃
Chine Diode de barrière de Schottky de 150 V SBD115D1 30 μA Courant de fuite inverse

Diode de barrière de Schottky de 150 V SBD115D1 30 μA Courant de fuite inverse

MOQ: 3000PCS/REEL
Plage de température de fonctionnement des jonctions et de température de stockage -55 à +150℃
Capacité de jonction typique à VR=0V 85pF
Courant rectifié moyen 1A
Courant de fuite inverse au VRRM 30 μA
Voltage avant maximal à IF=1A 0.85V
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